Speicherbausteine

Speicherbausteine sind integrierte Schaltkreise, die aus einer Vielzahl an Speicherzellen bestehen und das flüchtige oder nichtflüchtige Ablegen von Daten gestatten. In unserem Shop führen wir eine ganze Reihe unterschiedlicher Speicherbausteine in verschiedenen Bauformen und Speichergrößen. Darunter EPROMs, EEPROMs und Flash-EEPROMs, die entweder für die Oberflächenmontage (SMT) oder die Durchsteckmontage (THR) geeignet sind. EPROM steht für Erasable Programmable Read-only Memory und bezeichnet eine Speichertechnik, die es gestattet, den Speicherbaustein per EPROM-Brenner zu programmieren. Die Löschung erfolgt über ein Fenster im Gehäuse per UV-Licht. Neben UV-löschbaren EPROMs sind auch einmalig beschreibbare OMT-EPROMS erhältlich. EEPROMs und Flash-EEPROMs sind elektrisch löschbar. Typische Anwendungsgebiete dieser Speicherbausteine sind zum Beispiel Nummernspeicher im Telefon oder BIOS-Speicher im PC oder Laptop.

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Abbildung MAXIM Spannungsregler Speicherbaustein Transistor (1)

Maxim EEPROM 1-Wire 2,8 V - 5,25 V 256 bit EEPROM TO 92

DS2430A

VPE:1
MBM:1

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10000

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Maxim SMD EEPROM 1-Wire 2,8 V - 5,25 V 1024 bit EEPROM TSOC 6

DS2431P

VPE:1
MBM:1

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Maxim SMD EEPROM 1-Wire 2,8 V - 5,25 V 256 bit EEPROM TSOC 6

DS2430AP

VPE:1
MBM:1

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Abbildung ATMEL MAXIM Microcontroller Speicherbaustein (1)

Maxim SMD EEPROM 1-Wire 2,8 V - 5,25 V 4096 bit EEPROM SO 8 W

DS24B33S

VPE:1
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Speicherbaustein ST Microelectronics EEPROM SO8

STMicroelectronics EEPROM 1,8 V - 5,5 V 1 kBit SO8 ROLLE

M24C01RMN6TP

VPE:1
MBM:1

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STMicroelectronics EEPROM 1,8 V - 5,5 V 1 kBit SO8 STANGE

M95M01RMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 1,8 V - 5,5 V 1 kBit SO8 STANGE

M24M01RMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 1,8 V - 5,5 V 16 kBit SO8 ROLLE

M24C16RMN6TP

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STMicroelectronics EEPROM 1,8 V - 5,5 V 8 kBit SO8 ROLLE

M24C08RMN6TP

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 1 kBit SO8 ROLLE

M24C01WMN6TP

VPE:1
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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 1 kBit SO8 STANGE

M93C46WMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 1 kBit SO8 STANGE

M24C01WMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 128 kBit SO8 STANGE

M24128BWMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 128 kBit SO8 STANGE

M95128WMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 16 kBit SO8 ROLLE

M24C16WMN6TP

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 16 kBit SO8 STANGE

M95160WMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 16 kBit SO8 STANGE

M24C16WMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 16 kBit SO8 STANGE

M93C86WMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 2 kBit SO8 STANGE

M93C56WMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 2 kBit SO8 STANGE

M24C02WMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 32 kBit SO8 STANGE

M24C32WMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 4 kBit SO8 ROLLE

M24C04WMN6TP

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 4 kBit SO8 STANGE

M93C66WMN6P

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STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 4 kBit SO8 STANGE

M24C04WMN6P

VPE:1
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